中国工程院院士馆网站 图

中国工程院官网“院士馆”栏目近日更新信息显示，中国工程院外籍院士、美国国家工程院院士、国际知名的微电子科学技术与半导体器件专家和教育家施敏于2023年11月6日去世。

中国侨网援引美国《旧金山纪事报》发布的讣告称，施敏于11月6日安详离世，享年87岁。讣告中称，他的非凡一生以及对电子和半导体器件世界的贡献，将被铭记和珍惜。

施敏被誉为“半导体一代宗师”。中国工程院官网介绍称，施敏是非挥发MOS场效应记忆晶体管（NVSM）的发明者，在金半接触、微波器件及次微米金属半场效应晶体技术等领域都有开创性的贡献，在电子元件领域做出了基础性及前瞻性贡献。

公开资料显示，施敏1936年3月生于中国南京，在中国台湾长大，1957年毕业于中国台湾大学电机系，1960年在美国华盛顿大学获电机工程硕士，1963年在美国斯坦福大学获电机工程博士，系美国国籍。他于1967年在美国与姜大元博士共同发现浮栅存储（FGM）效应，是广泛应用的快闪存储器之核心发明。

在半导体设备，尤其是半导体接触，微波器件和金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）技术的研发中，施敏的贡献具有奠基性和开创性的意义。尤其是他参与研发的非易失性半导体存储器（NVSM），影响深远，随之诞生了包括闪速储存器和电可擦只读储存器（EEPROM）在内的大量储存设备。

施敏还撰写了具有传奇色彩的研究专著《半导体器件物理学》。这是一本全球半导体和集成电路研究人员“必学”之书，一直被研究生院教师/学生以及整个电子和光子行业的工程师使用和引用。

2021年9月，施敏摘得2021未来科学大奖三项大奖之一的“数学与计算机科学奖”。他在现场连线中谈到，“我个人非常希望年轻的人能够从事科学方面的研究，为什么？因为年轻人，尤其在二十几岁到三十几岁时对发明和发现有最高的能力。”